台积电宣布N12e制程工艺 可带来76%逻辑密度提升

　　新制程工艺节点名为N12e，绿色LOGO极为醒目，突出的就是其在能耗上的极佳表现。

　　具体来说，N12e要取代的是22ULL，可带来76%的逻辑密度提升，给定功耗下49%的频率提升、给定性能下55%的功耗减少以及SRAM尺寸50%的缩减。

　　N12e支持的Vdd电压能够做到0.4V，可以说完美适配IoT设备。事实上台积电的规划就是，面向5G处理器、基带、无线耳机、智能手表、VR、可穿戴设备、入门级SoC等场景领域服务。

　　参照台积电今年二季度的营运报告，虽然7nm在营收上份额上已达36%，妥妥第一大印钞机，但16nm(12~16nm)还保有着18%的份额，是绝对的中坚，不可忽视。另外，第三大晶圆厂GF(格芯)退出10nm以下制程研发后，也是全力优化12~14nm工艺，争抢IoT、低功耗SoC市场的代工份额。

　　说到台积电12nm的忠实伙伴，NVIDIA绝对要提，从Volta一路走到当下的Turing，可都是12nm加持，“忠心耿耿”。